H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G165WC-BCRC Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN8G6NDJR-XNC tarafından SK hynix ve K4A8G165WC-BCRC tarafından Samsung Electro-MechanicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marka | SK hynix | Samsung Electro-Mechanics |
| Kategori | Memory ICs | EEPROM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | — | In Stock |
| Birim Fiyat (USD) | $55,68 | $19,69 |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Veri Hızı | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| Paket | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-FBGA (TFBGA) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Organizasyon | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| Besleme Gerilimi | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Arayüz | — | Parallel, 16-bit DDR |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0 C to +95 C |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Özellikler | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |
| RoHS Durumu | — | Compliant |