H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NAFR-UHI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NAFR-VKC بواسطة SK hynix و H5AN8G8NAFR-UHI بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NAFR-VKC | H5AN8G8NAFR-UHI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 (VKC bin) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| الواجهة | SSTL12 | DDR4 (JEDEC-class) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Bank Group Architecture | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes (DLL for output skew control) | — |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| حالة RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant |
| Process Technology | CMOS | — |
| Recommended Application | Main memory requiring large density and high bandwidth | — |
| Memory Density | — | 8 Gb |
| معدل البيانات | — | DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Lead Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Technology | — | CMOS |
| Application | — | Main memory (high density, high bandwidth) |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |