H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NDJR-XNC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-RDC بواسطة SK hynix و H5AN8G8NDJR-XNC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NCJR-RDC | H5AN8G8NDJR-XNC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | — |
| التنظيم | x8 | — |
| معدل البيانات | up to 2666 Mbps | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| جهد التغذية | 1.2 V (VDD) | — |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC standard) | Parallel |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| العلبة | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit (1 G x 8) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to +95°C |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (I/O clock) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |
| Status | — | Active |