H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NDJR-XNC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NCJR-RDC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NDJR-XNC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G8NCJR-RDC | H5AN8G8NDJR-XNC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | — |
| संगठन | x8 | — |
| डेटा दर | up to 2666 Mbps | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V (VDD) | — |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (JEDEC standard) | Parallel |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gbit (1 G x 8) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to +95°C |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (I/O clock) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |
| Status | — | Active |