H5AN8G8NCJR-UHC vs H5AN8G8NCJR-RDC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-UHC بواسطة SK hynix و H5AN8G8NCJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC ✓ نشط
SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-RDC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb (1 GB)
التنظيم 1G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
العلبة FBGA-78 78-ball FBGA
نوع التركيب Surface Mount (BGA) Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
RoHS Code Yes —
REACH Compliance Yes (per distributor record) —
Lead-Free Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Part Life Cycle Code Active —
Access Type Synchronous, both clock edges (DDR) —
Memory Configuration Bank-group architecture DDR4 —
Die Revision CJR (C-die family) —
Manufacturer SK hynix Inc. —
معدل البيانات — up to 2666 Mbps
جهد التغذية — 1.2 V (VDD)
الواجهة — DDR4 (JEDEC standard)
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Burst Length — BL8
زمن الوصول CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر