H5AN8G8NCJR-UHC vs H5AN8G8NCJR-RDC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NCJR-UHC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NCJR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-RDC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb (1 GB)
संगठन 1G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
पैकेज FBGA-78 78-ball FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
RoHS Code Yes —
REACH Compliance Yes (per distributor record) —
Lead-Free Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) —
हैलोजन फ्री Yes —
Part Life Cycle Code Active —
Access Type Synchronous, both clock edges (DDR) —
Memory Configuration Bank-group architecture DDR4 —
Die Revision CJR (C-die family) —
Manufacturer SK hynix Inc. —
डेटा दर — up to 2666 Mbps
सप्लाई वोल्टेज — 1.2 V (VDD)
इंटरफ़ेस — DDR4 (JEDEC standard)
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Burst Length — BL8
CAS लेटेंसी — [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
हैलोजन फ्री — Yes
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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