H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-XNC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-VKC بواسطة SK hynix و H5AN8G8NCJR-XNC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NCJR-VKC | H5AN8G8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $30.69 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps/pin | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | — |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0 C to +85 C |
| العلبة | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel (DDR4) | DDR4 (8-bit data interface) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| التنظيم | — | 1 Gb x 8 |
| جهد التغذية | — | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) |
| Architecture | — | Bank-group based DDR4 |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Calibration | — | ZQ calibration, write leveling |
| Error Handling | — | CRC function |
| Reset | — | Asynchronous reset |
| Data Mask | — | Data mask function |
| Current - Operating | — | 39 mA |
| Current - Standby | — | 30 mA |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes |