H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-XNC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G8NCJR-VKC מאת SK hynix ו H5AN8G8NCJR-XNC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G8NCJR-VKC | H5AN8G8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $30.69 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| קצב נתונים | 2666 Mbps/pin | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | — |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | 0 C to +85 C |
| מארז | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | Parallel (DDR4) | DDR4 (8-bit data interface) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| ארגון | — | 1 Gb x 8 |
| מתח אספקה | — | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) |
| Architecture | — | Bank-group based DDR4 |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Calibration | — | ZQ calibration, write leveling |
| Error Handling | — | CRC function |
| Reset | — | Asynchronous reset |
| Data Mask | — | Data mask function |
| Current - Operating | — | 39 mA |
| Current - Standby | — | 30 mA |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes |