H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G8NCJR-PBC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-VKI بواسطة SK hynix و H5AN8G8NCJR-PBC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NCJR-VKI | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| العلبة | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Lead-Free & Halogen-Free |
| التنظيم | — | 1G x 8 (x8) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| الميزات | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |