H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G8NCJR-RDC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-VKI بواسطة SK hynix و H5AN8G8NCJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NCJR-VKI | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | up to 2666 Mbps |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V (VDD) |
| الواجهة | Parallel | DDR4 (JEDEC standard) |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| العلبة | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| التنظيم | — | x8 |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |