H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-RDC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NAMR-UHC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NCR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG6NAMR-UHC | H5ANAG6NCR-RDC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16 Gbit (2 GB) | — |
| التنظيم | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Speed Grade / Data Rate | DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Architecture | CMOS DDR4 with bank groups | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| العلبة | FBGA-96 (PBGA96) | 96-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA solder ball) | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] | — |
| نوع الواجهة | Parallel, synchronous, double data rate | — |
| Available Speed Bins (family) | PB / RD / TF / UH / VK | — |
| Application Class | Main memory, embedded, industrial | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| حالة دورة الحياة | Active production | — |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gb (2 GB) |
| معدل البيانات | — | 3200 Mbps (PC4-25600 class) |
| Package Body | — | Rectangular, 8 mm width |
| Maximum Standby Current | — | 0.074 A |
| Number of Terminals (Balls) | — | 96 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask (DM) Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Refresh Interval | — | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] |