H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-VKC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NAMR-UHC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NCR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCR-VKC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gbit
التنظيم 1G x 16 2G x 8
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
العلبة FBGA-96 (PBGA96) 96-ball FBGA
نوع التركيب Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] —
نوع الواجهة Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
حالة دورة الحياة Active production —
الواجهة — DDR4 (Double Data Rate 4)
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
معدل البيانات — [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Technology — CMOS
Application — Main memory (PC / server / embedded)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر