H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-VKC השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של H5ANAG6NAMR-UHC מאת SK hynix ו H5ANAG6NCR-VKC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

SK hynix
H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM x16 1.2V | SK hynix

H5ANAG6NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM x16 1.2V | SK hynix

H5ANAG6NAMR-UHC ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCR-VKC
מותג SK hynix SK hynix
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gbit
ארגון 1G x 16 2G x 8
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
מארז FBGA-96 (PBGA96) 96-ball FBGA
סוג הרכבה Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
השהיית CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] —
סוג ממשק Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
סטטוס מחזור חיים Active production —
ממשק — DDR4 (Double Data Rate 4)
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
קצב נתונים — [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Technology — CMOS
Application — Main memory (PC / server / embedded)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר