H5ANAG6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NBJR-PBC بواسطة SK hynix و H5AN4G6NBJR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG6NBJR-PBC | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2 GB) | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| Generation Max Data Rate | 3200 MT/s (family max) | — |
| العلبة | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA-96) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | Yes | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes (RESET_n) |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes (command/address CRC) |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | -40C to +95C |
| Speed Bin (PBC) | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] | — |
| التنظيم | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] | 256M x 16 |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Technology | — | CMOS |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |