H5ANAG6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-UHC Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5ANAG6NBJR-PBC sa pamamagitan ng SK hynix at H5AN4G6NBJR-UHC sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5ANAG6NBJR-PBC | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2 GB) | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | — |
| Generation Max Data Rate | 3200 MT/s (family max) | — |
| Packhaging | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA-96) |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | Yes | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes (RESET_n) |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes (command/address CRC) |
| Temperature na Operasyon | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | -40C to +95C |
| Speed Bin (PBC) | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] | — |
| Organisasyon | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] | 256M x 16 |
| Tindminan RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Laki ng Memory | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Technology | — | CMOS |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |