H5ANAG6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-UHC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5ANAG6NBJR-PBC توسط SK hynix و H5AN4G6NBJR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ فعال
SK hynix
H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5ANAG6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-UHC
برند SK hynix SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
ولتاژ تغذیه 1.2 V —
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
بسته‌بندی FBGA-96 FBGA-96 (PBGA-96)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh Auto self-refresh
Data Mask Function Yes Yes (DM)
Asynchronous Reset Yes Yes (RESET_n)
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes (command/address CRC)
دمای کاری [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -40C to +95C
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
سازمان [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] 256M x 16
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
اندازه حافظه — 4 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Technology — CMOS
On-Die Termination — Dynamic ODT

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت