H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NAMR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NCJR-XNC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NAMR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NAMR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $68.91 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps/pin | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| العلبة | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder ball) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| التنظيم | — | 1G x 16 |
| Speed Grade / Data Rate | — | DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Architecture | — | CMOS DDR4 with bank groups |
| Power Class | — | Normal Power |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] |
| نوع الواجهة | — | Parallel, synchronous, double data rate |
| Available Speed Bins (family) | — | PB / RD / TF / UH / VK |
| Application Class | — | Main memory, embedded, industrial |
| حالة دورة الحياة | — | Active production |