H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NBJR-RDC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NCR-PBC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NBJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NBJR-RDC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs DRAM
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) 16 Gb
التنظيم x16 (1G x 16) —
جهد التغذية 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
العلبة FBGA-96 FBGA (Ball Grid Array), surface mount
Number of Terminals 96 balls —
درجة حرارة التشغيل 0C to 85C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] —
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Memory Organization — 16Gb x16
معدل البيانات — 2666 Mbps (speed grade -RDC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
الواجهة — Synchronous, double data rate
Clocking — Fully synchronous to both clock edges
Technology — CMOS
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM
Application — Main memory
On-Die Termination (ODT) — Supported (DDR4 feature)
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر