H5ANAG8NBJR-RDC vs H5ANAG6NBJR-VKC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG8NBJR-RDC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NBJR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-VKC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة DRAM Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
التنظيم 2G x 8 [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet]
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
الواجهة SSTL12 DDR4, SSTL-12
Speed Grade (suffix R) DDR4-2666 class —
العلبة 78-ball FBGA FBGA-96 (PBGA96)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Refresh Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) —
Bank Groups 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) —
Data Strobe DQS with read/write training —
Data Bus Inversion Supported (DBI) —
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -40C to +95C (family grade reference)
حالة RoHS Compliant (lead-free PBGA per family product data) [DATA_NEEDED: RoHS status]
حالة دورة الحياة Active —
Manufacturer — SK Hynix
Part Number — H5ANAG6NBJR-VKC
Memory Density — 16Gb (2GB)
معدل البيانات — 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code)
جهد التغذية — 1.2 V (DDR4 standard)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر