H5CG48MEBDX014N vs K4RAH086VB-BCQK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5CG48MEBDX014N بواسطة SK hynix و K4RAH086VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5CG48MEBDX014N | K4RAH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $41.02 |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (Volatile DRAM) |
| Density | 16 Gbit | — |
| التنظيم | 2G x 8 | — |
| معدل البيانات | 4800 Mbps | 4800 Mbps |
| جهد التغذية | 1.1 V | 1.1 V |
| Row Address | 12 bits | — |
| Column Address | 9 bits | — |
| Die Generation | M-die | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | FBGA-82 (11 x 10 mm) | FBGA-82 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نوع الواجهة | Parallel, DDR5 | — |
| Memory Class | Synchronous DRAM | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Speed Class | DDR5-4800 (PC5) | — |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| الواجهة | — | Parallel |
| Technology | — | DDR5 |
| ECC | — | On-die ECC |
| Product Status | — | Active |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode |
| Series | — | K4RAH0x6VB (DDR5 16Gb B-die family) |
| Packaging | — | Tray |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |