H5CG48MEBDX014N vs K4RAH086VB-BCQK Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5CG48MEBDX014N sa pamamagitan ng SK hynix at K4RAH086VB-BCQK sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5CG48MEBDX014N | K4RAH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | DRAM |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Katayuan ng Stock | — | In Stock |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $41.02 |
| Uri ng Memory | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (Volatile DRAM) |
| Density | 16 Gbit | — |
| Organisasyon | 2G x 8 | — |
| Rate ng Data | 4800 Mbps | 4800 Mbps |
| Volte ng Pagbibigay | 1.1 V | 1.1 V |
| Row Address | 12 bits | — |
| Column Address | 9 bits | — |
| Die Generation | M-die | — |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packhaging | FBGA-82 (11 x 10 mm) | FBGA-82 |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Uri ng Interface | Parallel, DDR5 | — |
| Memory Class | Synchronous DRAM | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Speed Class | DDR5-4800 (PC5) | — |
| Laki ng Memory | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| Interface | — | Parallel |
| Technology | — | DDR5 |
| ECC | — | On-die ECC |
| Product Status | — | Active |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode |
| Series | — | K4RAH0x6VB (DDR5 16Gb B-die family) |
| Packaging | — | Tray |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |