IAUC100N04S6N022ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC100N04S6N022ATMA1 بواسطة Infineon و IPC100N04S5L1R5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUC100N04S6N022ATMA1 | IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 6, N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 75 W | — |
| R_DS(on) (typ at V_GS=10V) | 2.2 mOhm | — |
| العلبة | PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| Polarity | N-Channel enhancement mode | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (IAUC family) | — |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| Gate Threshold V_GS(th) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge Q_g | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (260C peak reflow) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-5 40 V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 115 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.5 mOhm (typ) |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V | — | 1.8 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% |