IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S6N013TATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7L042GATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S6N013TATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 40V —
Technology Trench N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 77 A —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
العلبة PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount PG-LHDSO-10-1 (SSO10T)
نوع التركيب Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (Tj) —
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualified Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 —
Packing Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) —
Target Substrate IMS substrate and legacy FR4 designs —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 230 A at T<sub>C</sub>
R<sub>DS(on)</sub> (max) — 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 133 W at T<sub>C</sub>
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 2.6 V (typ)
Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) — 1.08 nF
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) — 3.7 nF
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) — 51 pF
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر