IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S6N013TATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN04S7L042GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN04S6N013TATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 - 40V N-Channel Automotive MOSFET | Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUCN04S7L042GATMA1 | IAUCN04S6N013TATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 40V | — |
| Technology | Trench N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 77 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| প্যাকেজ | PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C (Tj) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel enhancement mode | — |
| Automotive Qualified | Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 | — |
| Packing | Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) | — |
| Target Substrate | IMS substrate and legacy FR4 designs | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | — | 230 A at T<sub>C</sub> |
| R<sub>DS(on)</sub> (max) | — | 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 133 W at T<sub>C</sub> |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | — | 2.6 V (typ) |
| Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | — | 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | — | 1.08 nF |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | — | 3.7 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | — | 51 pF |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |