IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUC100N10S5L054ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN10S5L110TATMA1 بواسطة Infineon و IAUC100N10S5L054ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN10S5L110TATMA1 | IAUC100N10S5L054ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (IAUC automotive family) |
| Technology | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level | OptiMOS 5 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 61 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 11.3 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 88 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature] | — |
| العلبة | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled | PG-TDSON-8-34 (surface mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Extended Qualification | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) | — | [DATA_NEEDED: max V_GS value] |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 101 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 130 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 5.4 mΩ |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +175°C |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive) |