IAUCN10S7N021ATMA1 vs BSC0906NSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN10S7N021ATMA1 بواسطة Infineon و BSC0906NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN10S7N021ATMA1 | BSC0906NSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 175 A | 63 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | 3.2 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | 105 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.98 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 32 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7.153 nF | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 217 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 30 W |
| RDS(on) max (typical reference) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction, typical) |
| عدد الأطراف | — | 8 |