IGL65R080D2XUMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IGL65R080D2XUMA1 بواسطة Infineon و IGLR70R200D2SXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IGL65R080D2XUMA1 | IGLR70R200D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN G5 |
| نوع الترانزستور | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 18 A | 9.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 81 W | 34 W |
| On-Resistance RDS(on) | 80 mΩ (typical) | — |
| العلبة | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) |
| نوع التركيب | Surface Mount, wettable flank | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C (TJ) | -40 °C to +150 °C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Technology | GaN-on-Si, 200 mm wafer | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) |
| Typical Applications | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 200 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 1.26 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 91 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 0.21 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 1.2 V |
| RoHS | — | Compliant |