IGL65R080D2XUMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGL65R080D2XUMA1 بذریعہ Infineon اور IGLR70R200D2SXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGL65R080D2XUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 CoolGaN G5
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 700 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 18 A 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) 81 W 34 W
On-Resistance RDS(on) 80 mΩ (typical) —
پیکیج PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount, wettable flank —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (TJ) -40 °C to +150 °C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Technology GaN-on-Si, 200 mm wafer GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Typical Applications SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) —
Channel Type — N-Channel
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 1.26 nC
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں