IGL65R080D2XUMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IGL65R080D2XUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IGLR70R200D2SXUMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 - 650V 80mΩ CoolGaN G5 Transistor | Infineon

IGL65R080D2XUMA1 - 650V 80mΩ CoolGaN G5 Transistor | Infineon

IGL65R080D2XUMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IGL65R080D2XUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 CoolGaN G5
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 700 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 18 A 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) 81 W 34 W
On-Resistance RDS(on) 80 mΩ (typical) —
প্যাকেজ PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount, wettable flank —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +150 °C (TJ) -40 °C to +150 °C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Technology GaN-on-Si, 200 mm wafer GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Typical Applications SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) —
Channel Type — N-Channel
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 1.26 nC
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট