IGW30N60H3FKSA1 vs IGB30N60H3ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IGW30N60H3FKSA1 بواسطة Infineon و IGB30N60H3ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IGW30N60H3FKSA1 | IGB30N60H3ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | IGBTs | IGBTs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | TRENCHSTOP IGBT3 | — |
| IGBT Type | Trench Field Stop | — |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCE, max) | 600 V | — |
| Continuous Collector Current (IC, TC=25°C) | 60 A | — |
| Continuous Collector Current (IC, TC=100°C) | [DATA_NEEDED: IC at TC=100°C] | — |
| Pulsed Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: ICM value] | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 187 W | — |
| Gate-Emitter Voltage (VGE) | ±20 V (max) | +/- 20 V |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGE(th) typical] | — |
| VCE(sat) at IC=30 A, VGE=15 V, Tj=25°C | [DATA_NEEDED: VCE(sat) value] | — |
| Turn-Off Switching Energy (Eoff) | [DATA_NEEDED: Eoff value] | — |
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -40 °C to +175 °C | — |
| العلبة | TO-247 (PG-TO247-3-1) through-hole, 3 pins + tab | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Anti-Parallel Diode | None (co-packaged without diode) | — |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | TRENCHSTOP IGBT3 |
| Collector-Emitter Voltage (VCE) | — | 600 V |
| Continuous DC Collector Current (IC, TC=25C) | — | 60 A |
| Pulsed Collector Current (ICpuls) | — | [DATA_NEEDED: pulsed collector current value] |
| تبديد القدرة (Ptot) | — | 187 W |
| جهد التشبع للمجمّع-الباعث (Vce(sat)) | — | 1.95 V (typ, at IC=30 A, VGE=15 V) |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value] |
| Turn-Off Time (toff) | — | 262 ns (nominal) |
| Technology | — | Trench Field Stop |
| Configuration | — | Single IGBT |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -40C to +175C |
| Storage Temperature | — | -55C to +150C |
| Terminal Form | — | Gull Wing |
| عدد الأطراف | — | 3 (2 + Tab) |
| Switching Behavior | — | MOSFET-like turn-off |