IGW30N60H3FKSA1 vs IGB30N60H3ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IGW30N60H3FKSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IGB30N60H3ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IGW30N60H3FKSA1 | IGB30N60H3ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | IGBTs | IGBTs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | TRENCHSTOP IGBT3 | — |
| IGBT Type | Trench Field Stop | — |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCE, max) | 600 V | — |
| Continuous Collector Current (IC, TC=25°C) | 60 A | — |
| Continuous Collector Current (IC, TC=100°C) | [DATA_NEEDED: IC at TC=100°C] | — |
| Pulsed Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: ICM value] | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 187 W | — |
| Gate-Emitter Voltage (VGE) | ±20 V (max) | +/- 20 V |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGE(th) typical] | — |
| VCE(sat) at IC=30 A, VGE=15 V, Tj=25°C | [DATA_NEEDED: VCE(sat) value] | — |
| Turn-Off Switching Energy (Eoff) | [DATA_NEEDED: Eoff value] | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর | -40 °C to +175 °C | — |
| প্যাকেজ | TO-247 (PG-TO247-3-1) through-hole, 3 pins + tab | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Anti-Parallel Diode | None (co-packaged without diode) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | TRENCHSTOP IGBT3 |
| Collector-Emitter Voltage (VCE) | — | 600 V |
| Continuous DC Collector Current (IC, TC=25C) | — | 60 A |
| Pulsed Collector Current (ICpuls) | — | [DATA_NEEDED: pulsed collector current value] |
| পাওয়ার ডিসিপেশন (Ptot) | — | 187 W |
| কালেক্টর-এমিটার স্যাচুরেশন ভোল্টেজ (Vce(sat)) | — | 1.95 V (typ, at IC=30 A, VGE=15 V) |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value] |
| Turn-Off Time (toff) | — | 262 ns (nominal) |
| Technology | — | Trench Field Stop |
| Configuration | — | Single IGBT |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -40C to +175C |
| Storage Temperature | — | -55C to +150C |
| Terminal Form | — | Gull Wing |
| পিন সংখ্যা | — | 3 (2 + Tab) |
| Switching Behavior | — | MOSFET-like turn-off |