IPB024N10N5ATMA1 vs IPB031N08N5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB024N10N5ATMA1 بواسطة Infineon و IPB031N08N5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB024N10N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 180 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 250 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance Ciss [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Output Capacitance Coss [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C
العلبة PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TO263-3 (D2PAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product family policy) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 A (Tc)
Power Dissipation (PD) Max — 167 W (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) Max — 3.1 mOhm (VGS=10V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source + Tab)
Tab Connection — Drain (electrically connected to pin)
Automotive Qualified — Yes (per Arrow listing)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر