IPB024N10N5ATMA1 vs IPB031N08N5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB024N10N5ATMA1 מאת Infineon ו IPB031N08N5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPB024N10N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 180 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 250 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance Ciss [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Output Capacitance Coss [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C
מארז PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TO263-3 (D2PAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
נטול הלוגנים Yes (per Infineon product family policy) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 A (Tc)
Power Dissipation (PD) Max — 167 W (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) Max — 3.1 mOhm (VGS=10V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source + Tab)
Tab Connection — Drain (electrically connected to pin)
Automotive Qualified — Yes (per Arrow listing)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר