IPB031N08N5ATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB031N08N5ATMA1 بواسطة Infineon و IPB024N10N5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPB031N08N5ATMA1 | IPB024N10N5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 167 W (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 3.1 mOhm (VGS=10V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | -55C to +175C (junction) |
| العلبة | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-7 (D2PAK-7) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source + Tab) | — |
| Tab Connection | Drain (electrically connected to pin) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) |
| Automotive Qualified | Yes (per Arrow listing) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 180 A |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | — | 250 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Charge Qg typ @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] |
| Input Capacitance Ciss | — | [DATA_NEEDED: Ciss value] |
| Output Capacitance Coss | — | [DATA_NEEDED: Coss value] |
| Reverse Recovery Charge Qrr | — | [DATA_NEEDED: Qrr value] |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel) |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes (per Infineon product family policy) |