IPB031N08N5ATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB031N08N5ATMA1 tarafından Infineon ve IPB024N10N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB031N08N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) Max 167 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 3.1 mOhm (VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source + Tab) —
Tab Connection Drain (electrically connected to pin) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Automotive Qualified Yes (per Arrow listing) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Klorürsüz — Yes (per Infineon product family policy)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin