IPB031N08N5ATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB031N08N5ATMA1 מאת Infineon ו IPB024N10N5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPB031N08N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) Max 167 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 3.1 mOhm (VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
מארז PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source + Tab) —
Tab Connection Drain (electrically connected to pin) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Automotive Qualified Yes (per Arrow listing) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
נטול הלוגנים — Yes (per Infineon product family policy)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר