IPB081N06L3GATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB081N06L3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC028N06NSTATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB081N06L3GATMA1 BSC028N06NSTATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 5
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
العلبة PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 8.1 mOhm typical —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (junction) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الدبابيس 3 —
Pin Configuration Gate / Drain / Source (D2PAK standard) —
Technology OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) MOSFET N-Channel (OptiMOS 5)
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (unlimited) 1
Part Number Base — BSC028N06NS
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge Qg — 37 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet]
Output Capacitance Coss — 825 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 56 pF
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 100 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
خالٍ من الهالوجين — Yes
AEC-Q101 Automotive Qualified — [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر