IPB081N06L3GATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB081N06L3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC028N06NSTATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB081N06L3GATMA1 - 60V 50A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB081N06L3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB081N06L3GATMA1 | BSC028N06NSTATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| पैकेज | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 8.1 mOhm typical | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 79 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (junction) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 3 | — |
| Pin Configuration | Gate / Drain / Source (D2PAK standard) | — |
| Technology | OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) | MOSFET N-Channel (OptiMOS 5) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | 1 |
| Part Number Base | — | BSC028N06NS |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 37 nC @ VGS=10V |
| Input Capacitance Ciss | — | 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet] |
| Output Capacitance Coss | — | 825 pF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 56 pF |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| AEC-Q101 Automotive Qualified | — | [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ] |