IPB100N12S305ATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB100N12S305ATMA1 بواسطة Infineon و IPB100N04S4H2ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPB100N12S305ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS Power MOSFET —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 100 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 300 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 4.8 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 185 nC —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (TJ) —
العلبة / الحالة PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الدبابيس 3 (Gate, Drain, Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101 qualified
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Technology — OptiMOS-T2 (trench gate)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
العلبة — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
مستوى MSL — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر