IPB100N12S305ATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPB100N12S305ATMA1 bằng Infineon và IPB100N04S4H2ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB100N04S4H2ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB100N04S4H2ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPB100N12S305ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS Power MOSFET —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 100 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 300 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 4.8 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 185 nC —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +175 C (TJ) —
Hộp / Vỏ PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số lượng chân 3 (Gate, Drain, Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101 qualified
Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Technology — OptiMOS-T2 (trench gate)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
Hộp — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
Cấp MSL — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá