IPB100N12S305ATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB100N12S305ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB100N04S4H2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB100N12S305ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS Power MOSFET —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 100 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 300 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 4.8 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 185 nC —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (TJ) —
پیکیج / کیس PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101 qualified
نمی حساسیت کی سطح (MSL) MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Technology — OptiMOS-T2 (trench gate)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
پیکیج — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
MSL لیول — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں