IPB120N04S402ATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB120N04S402ATMA1 بواسطة Infineon و IPB100N04S4H2ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB120N04S402ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC) 120 A —
Power Dissipation (PD, TC) 158 W —
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) 1.8 mΩ —
العلبة PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (2 + Tab) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rating 100% Avalanche Tested —
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) Compliant (Green Product)
Technology — OptiMOS-T2 (trench gate)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
مستوى MSL — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر