IPD052N10NF2SATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD052N10NF2SATMA1 بواسطة Infineon و IPD50N06S409ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD052N10NF2SATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD052N10NF2SATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 118 A | 50 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max | 3.8 V @ ID=84µA | — |
| العلبة / الحالة | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) | — |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Number of Channels | 1 | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +175 °C |
| العلبة | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| عدد الأطراف | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |