IPD052N10NF2SATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD052N10NF2SATMA1 tarafından Infineon ve IPD50N06S409ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD052N10NF2SATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD052N10NF2SATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 118 A | 50 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max | 3.8 V @ ID=84µA | — |
| Paket / Kas | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) | — |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Number of Channels | 1 | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Paket | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Pin Sayısı | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |