IPD052N10NF2SATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD052N10NF2SATMA1 بواسطة Infineon و IPD65R380E6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD052N10NF2SATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD052N10NF2SATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max | 3.8 V @ ID=84µA | — |
| العلبة / الحالة | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) | — |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Number of Channels | 1 | — |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +150 °C |
| العلبة | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| مستوى MSL | — | 1 |