IPD052N10NF2SATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD052N10NF2SATMA1 tarafından Infineon ve IPD65R380E6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD052N10NF2SATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD052N10NF2SATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max | 3.8 V @ ID=84µA | — |
| Paket / Kas | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) | — |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Number of Channels | 1 | — |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +150 °C |
| Paket | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| MSL Seviyesi | — | 1 |