IPD052N10NF2SATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD052N10NF2SATMA1 द्वारा Infineon और IPD65R380E6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD052N10NF2SATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD052N10NF2SATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max | 3.8 V @ ID=84µA | — |
| पैकेज / केस | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) | — |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Number of Channels | 1 | — |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +150 °C |
| पैकेज | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| MSL स्तर | — | 1 |