IPD082N10N3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD082N10N3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC076N06NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD082N10N3GATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Part Number | IPD082N10N3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) | N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | 80 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] | 2.0 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 125 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55°C to +175°C | — |
| العلبة / الحالة | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | Not applicable (industrial/consumer grade) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C |
| العلبة | — | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes (per Infineon product page) |