IPD082N10N3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD082N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC076N06NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD082N10N3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket / Kas PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Durumu Compliant —
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
Paket — PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
RoHS Compliance — Compliant
Klorürsüz — Yes (per Infineon product page)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin