IPD082N10N3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD082N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N06NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD082N10N3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C —
پیکیج / کیس PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C
پیکیج — PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
RoHS Compliance — Compliant
ہیلوجن فری — Yes (per Infineon product page)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں